Samsung uzsāk 3 nanometru čipu masveida ražošanu
Kompānija Samsung vakar paziņoja par 3 nanometru čipu masveida ražošanas uzsākšanu.
“Kompānija Samsung Electronics paziņo par 3 nanometru tehnoloģiskā procesa palaišanu, izmantojot Gate-All-Around tranzistoru arhitektūru”, – teikts oficiālajā preses relīzē.
Kā norāda Samsung Electronics – pirmās paaudzes 3 nanometru čipi var samazināt enerģijas patēriņu par 45%, salīdzinot ar 5 nanometru čipiem, nodrošināt veiktspējas palielināšanos par 23%, par 16% samazinot čipa laukumu.
3 nanometru čipu otrā paaudze būs vēl mazliet energoefektīvāka (tie patērēs par 50% mazāk enerģijas, salīdzinot ar 5 nanometru čipiem), kā arī nenozīmīgi palielināsies veiktspēja (par 7% attiecībā pret pirmās paaudzes 3 nanometru čipiem) un būtiski samazināsies izmēri (par 19% attiecībā pret pirmās paaudzes 3 nanometru čipiem).
Samsung apsteigusi savu galveno konkurentu – TSMC. Taivānas kompānija 3 nanometru čipu masveida ražošanu uzsāks šī gada otrajā pusē.
Avots: Samsung
